Ontwrigtende GaN op Silikon Tegnologie Mikro LED-skyfie
Produkbeskrywing
Die nuwe mikro-LED-skermtegnologie het breë ontwikkelingsvooruitsigte en kan toegepas word op AR-brille, HUD, ADB-motorligte, deursigtige skerms en ander breë velde. Die mikro-LED-tegnologie bo die 8-duim silikonsubstraat GaN met silikon CMOS-drywerwafel kan staatmaak op volwasse geïntegreerde stroombaantoerusting en -prosesse, wat die onvermydelike industrialiseringsroete is vir die vervaardiging van laekoste, hoë-opbrengs Mikro-LED.
Deur te steun op byna 20 jaar se industrialisasie-akkumulasie in die hele silikonsubstraat-LED-ketting, het ons 4-duim tot 12-duim silikonsubstraat InGaN-gebaseerde naby-ultraviolet, blou, groen en rooi epitaksiale wafers vir Mikro-LED-toepassings ontwikkel, wat wissel van 365 nm tot 650 nm. Omvattende optimalisering is uitgevoer op sleutelindustrialisasie-aanwysers soos ligdoeltreffendheid, konsekwentheid en betroubaarheid, en op grond hiervan is rooi, groen en blou Mikro-LED-mikroskerm-skikkings suksesvol ontwikkel.
Die maatskappy is daartoe verbind om hoëgehalte silikon substraat Mikro LED epitaksiale skyfies en toestelmodules aan kliënte regoor die wêreld te verskaf om die oneindige moontlike toepassings van Metaverse te vergemaklik.
Kenmerke en Voordele
Vanuit die perspektief van industrialisering, gebruik grootskaalse silikonsubstraat GaN-tegnologie om Mikro LED voor te berei:
1. dit het baie voordele soos groot grootte, lae koste, verlieslose substraatverwydering en IC-prosesversoenbaarheid;
2. In vergelyking met die 4-duim substraat, neem die Mikro LED-skyfie-uitset per eenheid substraatoppervlakte met 25% toe met 'n 8-duim substraat;
3. Deur 'n 8-duim silikon substraat te gebruik om Mikro LED voor te berei, is die BOM-koste van elke vertoonmodule slegs 30% van dié van 'n 4-duim saffieroplossing (insluitend epitaksie, skyfies en CMOS).









