Grootskaalse silikonsubstraat Mikro-LED-epitaksie dryf nuwe deurbrake in huishoudelike mikroskermtegnologie aan

In September 2024 het Meta die Orion-prototipe van liggewig, volkleur AR-brille met Micro LED-mikroskermtegnologie by die Meta Connect 2024-konferensie onthul, toegerus met 'n verskeidenheid sensors en silikonkarbied-golfgidse. Zuckerberg het hulle "die beste AR-brille ter wêreld" genoem. In Meta se amptelike promosievideo het Nvidia se uitvoerende hoof, Jensen Huang, die AR-brille geprys en gesê: "Die skerm en kleure is wonderlik, en die oogopsporingstegnologie is ook uitstekend."

Die nuwe maatstafproduk het weereens die sleutel-mikroskermtegnologie agter slimbrille na die voorpunt van tegnologiese verkenning gebring. Mikro-LED, wat die nuwe generasie skermtegnologie verteenwoordig, het sy uitstekende prestasie in die grootskermveld gedemonstreer en begin geleidelik ook in die mikroskermveld skitter. TrendForce se TrendForce Consulting beraam dat die toepassingsverhouding van Mikro-LED-tegnologie in die AR-brilveld teen 2030 44% sal bereik.

Mikro-LED-mikroskerms het ongeëwenaarde voordele in helderheid en betroubaarheid bo tradisionele tegnologieë, maar dit sal steeds tyd neem vir monsters om oor te skakel na grootskaalse kommersiële gebruik. China se nywerheid, akademie en navorsingsgemeenskap werk ywerig saam om die tegnologiese vooruitgang en industriële toepassing van Mikro-LED-mikroskerms te bevorder.
Onlangs het plaaslike ondernemings en universiteitsnavorsingspanne kragte saamgesnoer om 'n nuwe deurbraak in sleuteltegnologieë van Mikro-LED-mikroskerms te bewerkstellig en het beduidende resultate in kern internasionale akademiese tydskrifte gepubliseer.

Binnelandse navorsing oor Mikro LED-mikroskerms bring voortdurend goeie nuus.
Om die volkleur-bottelnek van Mikro-LED-mikroskerms te oorkom, het 'n navorsingspan van die Universiteit van Hunan, in samewerking met die Hunan Normale Universiteit, NovoView Technology Company en Latticepower, in September vanjaar 'n artikel oor kwantumpunt-kleuromskakeling-pixelintegrasie in die akademiese tydskrif Advanced Materials gepubliseer. Hulle het ook 'n 0.39-duim Mikro-LED volkleur-mikroskermskyfie ontwikkel met 'n ultrahoë helderheid van 400,000 nits en 'n ultrahoë resolusie van 3300PPI.

'n Maand later het die navorsingspan van die Universiteit van Hunan, in samewerking met vennote soos Novus Technology, Latticepower en Digital Light Core, navorsingsbevindinge en oplossings in die gesogte akademiese tydskrif Light: Science & Applications gepubliseer, wat die uitdagings van helderheids- en eenvormigheidsprobleme in bestaande Micro LED-mikroskerms aanspreek wat dit moeilik gemaak het om aan praktiese toepassingsvereistes te voldoen.

Die gesamentlike span het suksesvol IC-vlak GaN-gebaseerde Mikro-LED-wafelvervaardigingstegnologie ontwikkel, insluitend die voorbereidingsproses van grootskaalse hoëgehalte-silikonsubstrate vir Mikro-LED-epitaksiale wafers, nie-belynde bindingsintegrasietegnologie en atoomvlak-sywandpassiveringtegnologie. Hulle het die hoogste helderheid van 10 miljoen nits vir groen Mikro-LED-mikroskermmodules op silikonsubstraat GaN-epitaksiale wafers behaal wat tot dusver gerapporteer is. Agter die twee Mikro-LED-mikroskermnavorsingsprestasies lê die integrasie en samewerking van die mees gevorderde tegnologieë in die plaaslike LED-bedryf. Onder hulle het Latticepower die bedryfsleidende grootskaalse silikonsubstraat Mikro-LED-epitaksiale wafers verskaf.

Grootskaalse silikon substraat epitaksie is die hoeksteen van die ontwikkeling van Mikro LED mikroskermtegnologie.
Tans is daar hoofsaaklik twee tegnologiese benaderings in die groei van epitaksiale wafers en daaropvolgende skyfieprosesse vir Mikro-LED. Een benadering behels die gebruik van 4/6-duim saffiersubstrate vir epitaksiale groei; die ander benadering gebruik 8-duim of groter silikonsubstrate vir Mikro-LED-epitaksie. Namate mikropixel Mikro-LED-mikroskermprodukte die IC-agtige vervaardigingsproses betree, toon die grootskaalse silikonsubstraat GaN-gebaseerde Mikro-LED-epitaksietegnologie geleidelik superieure eienskappe soos hoë substraatverwyderingsopbrengs, hoë CMOS-bindingsopbrengs, groot grootte, lae koste en lae kromtrekking. Dit is voorsienbaar dat die verdere volwassenheid van silikonsubstraat-epitaksietegnologie 'n sleuteldrywer vir die industrialisering van Mikro-LED-mikroskerms sal word.

Grootskaalse silikonsubstraat-epitaksiale tegnologie stem beter ooreen met die huidige ontwikkelingstendens van Mikro-LED-toepassings. Alhoewel saffiersubstraat GaN LED-tegnologie, met sy langer ontwikkelingstyd en hoër volwassenheid, die hoofstroom in algemene beligtingsvelde bly, het 'n paar LED-maatskappye, beide plaaslik en internasionaal, reeds die bedryfstendens geïdentifiseer en, met 'n langertermynperspektief, die enorme potensiaal van grootskaalse silikonsubstraat-epitaksie in die Mikro-LED-veld erken. Hulle het die voortou geneem met die aanvang van navorsing en ontwikkeling, met Latticepower as 'n pionier in huishoudelike silikonsubstraat Mikro-LED-epitaksiale tegnologie. As een van die min huishoudelike LED-maatskappye wat fokus op silikonsubstraat GaN-tegnologie, het Latticepower silikonsubstraat GaN-gebaseerde LED-tegnologie volwasse toegepas in gebiede soos slimfoonflitse, mobiele beligting en motorbeligting. Die maatskappy gaan voort om sy silikonsubstraat GaN-gebaseerde LED-epitaksiale produkte op te gradeer van 4-duim tot 8-duim en selfs 12-duim groottes, wat tegniese werkverrigting en koste aansienlik optimaliseer. Reeds in 2018 het Latticepower die leiding in China geneem om navorsing en ontwikkelingswerk te begin oor GaN-gebaseerde blou, groen en rooi Mikro-LED-epitaksiale tegnologie op grootskaalse silikonsubstrate.

In 2020 het Latticepower 'n 8-duim silikonsubstraat InGaN rooi lig epitaksiale tegnologie bekendgestel; in 2021 het Latticepower 'n silikonsubstraat InGaN rooi, groen en blou drie primêre kleur Mikro LED-skikking met 'n pixeldigtheid van 1000PPI voorberei;

In 2022 het Latticepower deurgebreek met die sleuteltegnologie van 8-duim silikonsubstraat InGaN-gebaseerde driekleurige Mikro-LED-epitaksie, en suksesvol 'n Mikro-LED-driekleurige skikking met 'n 5-mikron-afstand voorberei; in 2023 het Latticepower die tegnologiese prestasies van die volledige reeks driekleurige Mikro-LED-epitaksie gebaseer op 12-duim silikonsubstraat InGaN rooi, groen en blou vrygestel, wat die grondslag gelê het vir die verhoging van doeltreffendheid en die vermindering van koste van Mikro-LED, en voortgegaan het om die ontwikkeling van mikro-vertoontegnologie te bevorder.

Tans het Latticepower die volkleur GaN LED epitaksiale tegnologie op silikonsubstrate wat wissel van 365-650 nm bemeester en het 4-12 duim silikonsubstrate GaN-gebaseerde rooi, groen en blou Mikro LED epitaksie ontwikkel. Dit het hoë kwaliteit epitaksiale waferprodukte met standaard dikte 8-duim CMOS-versoenbaarheid aan globale navorsingsinstellings en ondernemings verskaf. Vir toepassings in tienduisend-pixel matriks kopligte en motor HUD's, het Latticepower 'n blou Mikro LED epitaksiale struktuur ontwikkel wat 'n eksterne kwantumdoeltreffendheid van meer as 20% teen 1000A/cm2 kan bereik. In die toekoms sal Latticepower voortgaan om diep te delf in die veld van grootskaalse silikonsubstrate GaN-gebaseerde Mikro LED epitaksiale tegnologie en sal nouer saamwerk met stroomaf vennote om die industrialisering van Mikro LED mikroskermtegnologie in China te bevorder.

Die LED-industrie vorder vinnig na die era van Mikro-LED, gedryf deur koste- en opbrengsverbeterings. Die opgradering na grootskaalse silikonsubstraat Mikro-LED epitaksiale wafers het 'n belangrike tendens geword in die industrialisering van Mikro-LED. Teen die agtergrond van globale ondernemings wat aktief die toepassingspotensiaal van Mikro-LED-tegnologie op die gebied van mikro-skerm ondersoek en verken, het Latticepower die silikonsubstraat Mikro-LED epitaksiale tegnologie voortdurend verbeter deur middel van voortgesette navorsing, wat plaaslike Mikro-LED mikro-skermtegnologie help om herhaaldelik toonaangewende resultate te behaal. Vooruitskouend sal Latticepower ook hande saam met Chinese LED-bedryf-navorsingskollegas werk om voort te gaan om die tegniese uitdagings van Mikro-LED te oorkom, wat die Chinese LED-industrie lei om aan die voorpunt van Mikro-LED-tegnologie te staan.