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Puce micro-LED à technologie GaN sur silicium révolutionnaire
Mini/Micro LED

Puce micro-LED à technologie GaN sur silicium révolutionnaire

Applications

Écran haute définition

    Description du produit

    La nouvelle technologie d'affichage Micro LED offre de vastes perspectives de développement et peut être appliquée aux lunettes de réalité augmentée, aux affichages tête haute, aux phares de voiture à commande automatique, aux écrans transparents et à d'autres domaines. La technologie Micro LED, basée sur un substrat de silicium GaN de plus de 8 pouces avec un circuit intégré CMOS en silicium, bénéficie d'équipements et de procédés de circuits intégrés éprouvés, ce qui constitue la voie incontournable de l'industrialisation pour la fabrication de Micro LED à faible coût et à haut rendement.

    Forts de près de 20 ans d'expérience dans l'industrialisation de l'ensemble de la chaîne de production des LED sur substrat de silicium, nous avons développé des plaquettes épitaxiales à base d'InGaN, de 4 à 12 pouces, émettant dans le proche ultraviolet, le bleu, le vert et le rouge pour les applications Micro LED, dans une gamme de longueurs d'onde allant de 365 nm à 650 nm. Une optimisation globale a été réalisée sur des indicateurs clés d'industrialisation tels que l'efficacité lumineuse, la constance et la fiabilité, et sur cette base, des matrices de micro-affichage Micro-LED rouges, vertes et bleues ont été développées avec succès.

    L'entreprise s'engage à fournir des puces épitaxiales Micro LED sur substrat de silicium et des modules de dispositifs de haute qualité à ses clients du monde entier afin de faciliter les applications possibles infinies du métavers.

    Caractéristiques et avantages

    Du point de vue de l'industrialisation, l'utilisation de la technologie GaN sur substrat de silicium de grande taille pour la fabrication de micro-LED :

    1. Il présente de nombreux avantages tels que sa grande taille, son faible coût, l'élimination sans perte du substrat et sa compatibilité avec les processus de fabrication des circuits intégrés ;

    2. Comparé au substrat de 4 pouces, le rendement de la puce Micro LED par unité de surface de substrat augmente de 25 % avec un substrat de 8 pouces ;

    3. En utilisant un substrat de silicium de 8 pouces pour préparer des micro-LED, le coût de la nomenclature de chaque module d'affichage ne représente que 30 % de celui d'une solution saphir de 4 pouces (y compris l'épitaxie, les puces et le CMOS). 
    • Micro-Bpq0
    • Micro-G8t3
    • Micro-Rq2i
    • Micro-Ygtj

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